Transistors. Page 102 sur 114. Avtronic

Transistor SAP15N

35.90€ TTC

2 En stock

Transistor NPN Darlington. Tension collecteur-émetteur maxi: 160V. Courant de collecteur maxi: 15A. Gain Hfe: 5000 à 20000. HI-FI Audio. Paire: SAP15P. Puissance: 150W.

0

Tarifs dégressifs

Paire de transistors NPN-PNP SAP15P-SAP15N

51.69€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Paire de transistors NPN-PNP 160V 16A 150W. Paire complémentaire

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Tarifs dégressifs

Transistor SD20N60

49.62€ TTC

3 En stock

Transistor SD20N60 N-MOS LG. 0TFFN10010A. Cool Mos. MOS-N-FET. Constructeur: INF. Boîtier: TO-247.

0

Tarifs dégressifs

Transistor SFP9540

4.20€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -17A. Puissance: 132W. Résistance passante (Rds): 0.2 Ohm. Boîtier: TO-220.

0

Tarifs dégressifs

Transistor SFP9630

4.20€ TTC

37 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -4.4A. Puissance: 33W. Résistance passante (Rds)<0.8 Ohm. Boîtier: TO-220F.

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Tarifs dégressifs

Transistor SFS9620

4.70€ TTC

38 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -3A. Puissance: 28W. Résistance passante (Rds)<1.5 Ohm.

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Tarifs dégressifs

Transistor SFS9634

6.61€ TTC

236 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -250V. Courant de drain maxi: -3.4A. Puissance: 33W. Résistance passante (Rds)<1.3 Ohm.

0

Tarifs dégressifs

Transistor SGB15N60HS

10.14€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT N 600V. Courant de collecteur maxi: 27A. Puissance: 138W. Vce(sat): 2.8V. Boîtier: TO-263-3-2. High Speed IGBT in NPT-technology.

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Tarifs dégressifs

Transistor SGH30N60RUFD

14.90€ TTC

44 En stock

N-IGBT+D 600V 48A/90Ap 235W (30A) Vce(sat)2.2V. Constructeur: Fairchild Semiconductor. Code constructeur: SGH30N60RUFDTU. Jelzés a tokon: G30N60RUFD. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-3PN (2-16C1B). Boîtier: TO3PN. Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 600 V. Consommation 48 A. Ic(T-100°C): 30 A. Ic(puls): 90 A. Puis

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Tarifs dégressifs

Transistor IGBT canal-N SGP10N60A

11.03€ TTC

323 En stock

Transistor IGBT canal-N 600V 20A/40Ap 92W Vce(sat) : 2.0V

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Tarifs dégressifs

Transistor SGP15N120

17.30€ TTC

3 En stock

Transistor IGBT N 1200V 30A. Puissance: 198W. Vce(sat): 2.5V. Boîtier: TO-220AC. Fast IGBT.

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Tarifs dégressifs

Transistor SGP30N60

12.04€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT N 600V 41A. Puissance: 250W. Vce(sat): 2.1V. Boîtier: TO-220AC. Fast IGBT.

0

Tarifs dégressifs

Transistor SGSF461

15.06€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor NPN SGSF461 850/400V 15A 125W SMPS. Vce maxi: 400 V. Courant de collecteur maxi: 15 A. Constructeur: ST. Tension collecteur/base maxi: 850 V. Puissance: 125 W

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Tarifs dégressifs

Transistor SGW30N60HS

23.30€ TTC

19 En stock

Transistor IGBT N 600V 41A. Puissance: 250W. Vce(sat): 2.8V. Boîtier: TO-247AC.

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Tarifs dégressifs

Transistor SI3441BD

1.34€ TTC

2713 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 20V. Courant de drain maxi: 2.45A. Puissance: 0.86W. Résistance passante: 0.07 Ohms. Boîtier: TSOP-6.

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Tarifs dégressifs

Transistor SI4401BDY

5.94€ TTC

82 En stock

Transistor MOSFET canal P CMS 40V 8.7A/50Ap 1.5W 0.011R (5.9A). Constructeur: VISHAY. Code constructeur: SI4401BDY-T1-E3. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: SO. Boîtier: CMS SO8. Transistor FET: MOS. 8-pin. Type de canal: Canal P. Vds(max): 40V. Id(T:25): 8.7A. Puissance: 1.5 W. Id(T:100): 5.9A. Id(imp): 50 Ap. Idss (min): 1 uA. Idss (max

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Tarifs dégressifs

Transistor SI4401DY

9.35€ TTC

4 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 40V. Courant de drain maxi: 10.5A. Puissance: 3W. Résistance passante: 0.013 Ohms. Boîtier: SO8.

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Tarifs dégressifs

Transistor SI4410BDY

2.69€ TTC

2066 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 10A. Puissance: 2.5W. Rds<0.013 Ohm. Boîtier: SO8.

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Tarifs dégressifs

Transistor SI4420DY

5.26€ TTC

77 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 13.5A. Puissance: 2.5W. Rds<0.008 Ohm. Boîtier: SO8.

0

Tarifs dégressifs

Transistor SI4425BDY

5.32€ TTC

37 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 11.4A. Puissance: 2.5W. Résistance passante: 0.010 Ohms. Boîtier: SO8.

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Tarifs dégressifs

Transistor SI4435BDY

2.41€ TTC

2093 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 9.1A. Puissance: 2.5W. Résistance passante: 0.015 Ohms. Boîtier: SO8.

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Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor SAP15N

Transistor NPN Darlington. Tension collecteur-émetteur maxi: 160V. Courant de collecteur maxi: 15A. Gain Hfe: 5000 à 20000. HI-FI Audio. Paire: SAP15P. Puissance: 150W.

Paire de transistors NPN-PNP SAP15P-SAP15N

Paire de transistors NPN-PNP 160V 16A 150W. Paire complémentaire

Transistor SD20N60

Transistor SD20N60 N-MOS LG. 0TFFN10010A. Cool Mos. MOS-N-FET. Constructeur: INF. Boîtier: TO-247.

Transistor SFP9540

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -17A. Puissance: 132W. Résistance passante (Rds): 0.2 Ohm. Boîtier: TO-220.

Transistor SFP9630

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -4.4A. Puissance: 33W. Résistance passante (Rds)<0.8 Ohm. Boîtier: TO-220F.

Transistor SFS9620

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -3A. Puissance: 28W. Résistance passante (Rds)<1.5 Ohm.

Transistor SFS9634

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -250V. Courant de drain maxi: -3.4A. Puissance: 33W. Résistance passante (Rds)<1.3 Ohm.

Transistor SGB15N60HS

Transistor IGBT N 600V. Courant de collecteur maxi: 27A. Puissance: 138W. Vce(sat): 2.8V. Boîtier: TO-263-3-2. High Speed IGBT in NPT-technology.

Transistor SGH30N60RUFD

Transistor IGBT canal-N SGP10N60A

Transistor IGBT canal-N 600V 20A/40Ap 92W Vce(sat) : 2.0V

Transistor SGP15N120

Transistor IGBT N 1200V 30A. Puissance: 198W. Vce(sat): 2.5V. Boîtier: TO-220AC. Fast IGBT.

Transistor SGP30N60

Transistor IGBT N 600V 41A. Puissance: 250W. Vce(sat): 2.1V. Boîtier: TO-220AC. Fast IGBT.

Transistor SGSF461

Transistor NPN SGSF461 850/400V 15A 125W SMPS. Vce maxi: 400 V. Courant de collecteur maxi: 15 A. Constructeur: ST. Tension collecteur/base maxi: 850 V. Puissance: 125 W

Transistor SGW30N60HS

Transistor IGBT N 600V 41A. Puissance: 250W. Vce(sat): 2.8V. Boîtier: TO-247AC.

Transistor SI3441BD

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 20V. Courant de drain maxi: 2.45A. Puissance: 0.86W. Résistance passante: 0.07 Ohms. Boîtier: TSOP-6.

Transistor SI4401BDY

Transistor SI4401DY

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 40V. Courant de drain maxi: 10.5A. Puissance: 3W. Résistance passante: 0.013 Ohms. Boîtier: SO8.

Transistor SI4410BDY

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 10A. Puissance: 2.5W. Rds<0.013 Ohm. Boîtier: SO8.

Transistor SI4420DY

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 13.5A. Puissance: 2.5W. Rds<0.008 Ohm. Boîtier: SO8.

Transistor SI4425BDY

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 11.4A. Puissance: 2.5W. Résistance passante: 0.010 Ohms. Boîtier: SO8.

Transistor SI4435BDY

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 9.1A. Puissance: 2.5W. Résistance passante: 0.015 Ohms. Boîtier: SO8.

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